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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0107880 (1998-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 3 |
A semiconductor processing method of depositing a film on a substrate using an organometallic precursor, where the precursor comprises a coordination complex having a central linking atom and at least two ligands bonded thereto, at least one of the ligands including an organic species comprising a c
[ I claim:] [1.] A semiconductor processing method of depositing a metallic film on a substrate by utilizing an organo-metallic precursor comprising a coordination complex having a central linking atom and at least two ligands bonded thereto, at least one of the ligands comprising a carbon atom havi
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