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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0213021 (1998-12-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 7 |
A low contact resistance and low junction leakage metal interconnect contact structure for use with ICs. The contact structure includes an interconnect dielectric material layer on the surface of an IC semiconductor substrate. The interconnect dielectric material layer has a contact opening which ex
[ What is claimed is:] [6.] A low contact resistance and low junction leakage metal interconnect contact structure for use in integrated circuits that include a semiconductor substrate, the metal interconnect contact structure comprising:an interconnect dielectric material layer disposed on the surf
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