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Semiconductor device and process for production thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/48
  • H01L-023/52
  • H01L-029/40
출원번호 US-0138011 (1998-08-21)
우선권정보 JP-0226669 (1997-08-22)
발명자 / 주소
  • Koyanagi Kenichi,JPX
  • Fujii Kunihiro,JPX
  • Usami Tatsuya,JPX
  • Kishimoto Koji,JPX
출원인 / 주소
  • NEC Corporation, JPX
대리인 / 주소
    McGinn & Gibb, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 3

초록 ▼

A semiconductor device comprising an insulating film at least partially containing a fluorine-containing film, formed above a semiconductor substrate, and a titanium nitride film formed on the insulating film. The above titanium film functions as a barrier metal film for barriering the diffusion of

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device comprising an insulating film at least partially containing a fluorine-containing film, formed above a semiconductor substrate, a titanium nitride film formed on the insulating film, an upper wiring and a lower wiring, wherein an uppermost layer of

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Hayashi Jun (Tokyo JPX) Yamanaka Michiko (Tokyo JPX), Semiconductor device and fabrication process therefor.
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  2. Muto Yoshio,JPX, Semiconductor device and process of producing same.
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  3. Matsuno Tadashi,JPX, Semiconductor device with improved adhesion between titanium-based metal wiring layer and insulation film.
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이 특허를 인용한 특허 (22)

  1. Pramanick Shekhar ; Brown Dirk ; Iacoponi John A., Dual barrier and conductor deposition in a dual damascene process for semiconductors.
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  2. Tetsuya Ishikawa ; Padmanabhan Krishnaraj ; Feng Gao ; Alan W. Collins ; Lily Pang, Gas distribution system for a CVD processing chamber.
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  3. Ro Tae-Hyo,KRX ; Jeoun Ill-Hwan,KRX ; Park Byung-Suk,KRX ; Jee Yeon-Hong,KRX, Interconnect structure with a passivation layer and chip pad.
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  4. Kameyama, Kojiro; Suzuki, Akira; Okayama, Yoshio, Manufacturing method of semiconductor device with a barrier layer and a metal layer.
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  5. Maex, Karen; Baklanov, Mikhail Rodionovich; Vanhaelemeersch, Serge, Metallization structure on a fluorine-containing dielectric and a method for fabrication thereof.
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  6. Ro, Tae-Hyo; Jeoun, Ill-Hwan; Park, Byung-Suk; Jee, Yeon-Hong, Method for manufacturing a semiconductor device.
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  7. Wakabayashi Hitoshi,JPX ; Tatsumi Toru,JPX, Method for manufacturing semiconductor device capable of flattening surface of selectively-grown silicon layer.
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  8. Shuichi Ishizuka JP, Method for producing insulator film.
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  9. Preusse, Axel; Friedemann, Michael; Seidel, Robert; Freudenberg, Berit, Method of forming a copper-based metallization layer including a conductive cap layer by an advanced integration regime.
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  10. Lee Jang-eun,KRX ; Chung Ju-hyuck,KRX ; Seo Tae-wook,KRX, Method of forming multilayer titanium nitride film by multiple step chemical vapor deposition process and method of manufacturing semiconductor device using the same.
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  11. Kim, Rak Hwan; Lim, Hyun Seok; Cho, Young Joo; Park, In Sun; Lee, Hyeon Deok; Lee, Hyun Suk, Method of forming titanium nitride layer and method of fabricating capacitor using the same.
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  12. Wang Shulin ; Xi Ming ; Lando Zvi ; Chang Mei, Method of titanium/titanium nitride integration.
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  13. Lee Jang-eun,KRX ; Chung Ju-hyuck,KRX ; Seo Tae-wook,KRX, Methods of forming titanium nitride composite layers using composite gases having increasing TiCl4 to NH3 ratios.
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  14. Lee, Kevin J., Multi-layer thick metallization structure for a microelectronic device, intergrated circuit containing same, and method of manufacturing an integrated circuit containing same.
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  15. Ohkawa,Narumi, Semiconductor device and its manufacture method.
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  16. Takamatsu,Tomohiro; Miura,Jirou; Nakamura,Mitsuhiro; Tachibana,Hirotoshi; Komuro,Genichi, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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  17. Burrell, Lloyd G.; Wong, Kwong H.; Kelly, Adreanne A.; McKnight, Samuel R., Semiconductor device having a composite layer in addition to a barrier layer between copper wiring and aluminum bond pad.
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  18. Shunichi Endo JP, Semiconductor device having a fluorine-added carbon film as an inter-layer insulating film.
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  19. Matsui, Satoshi, Semiconductor device providing a first electrical conductor and a second electrical conductor in one through hole and method for manufacturing the same.
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  20. Kameyama,Koujiro; Suzuki,Akira; Okayama,Yoshio, Semiconductor device with a barrier layer and a metal layer.
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  21. Makarem Hussein ; Kevin J. Lee ; Sam Sivakumar, Single step electroplating process for interconnect via fill and metal line patterning.
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  22. Hiroshi Yamamoto JP, Wiring structure of a semiconductor integrated circuit and a method of forming the wiring structure.
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