[특허]Deposition of highly doped silicon dioxide films

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Deposition of highly doped silicon dioxide films 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/34
출원번호	US-0878579 (1997-06-19)
발명자 / 주소	MacChesney John Burnette Mishkevich Aza E. O'Bryan Henry Miles Rabinovich Eliezer M. Sneh Ofer
출원인 / 주소	Lucent Technologies Inc.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10

초록 ▼

The specification describes sputtering processes for the deposition of silicon dioxide films doped with high levels of oxides or other materials to alter the optical and/or electrical characteristics of the films. Sol gel methods are used to prepare composite sputtering targets of ultra fine mixture

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] Method for depositing a film comprising at least 30 mole % SiO.sub.2 by sputtering the film onto a substrate of an optical or electrical device, the method comprising:a. preparing a sputtering target by the steps of:i. combining a silica sol with powder of at least one non-silica oxide to form a sol of particles of different compositions in a suspension medium, said particles and 1-10 mol % non-silica oxide comprising at least 30 mole % SiO.sub.2 particles,ii. adjusting the pH of the sol to a level in the range 10-13,iii. adding an acid gelling agent to said sol to initiate gelling of the sol,iv. casting the sol into a mold and allowing the sol to gel,v. drying the gelled sol to form a composite body having a mixed composition comprising at least 30 mole % SiO.sub.2,vi. firing the composite body at a temperature of at least 1000.degree. C. to densify the composite body, andvii. forming the composite body into a sputtering target,b. mounting the sputtering target produced in steps i-vii in a vacuum chamber,c. mounting said substrate in the vacuum chamber,d. evacuating the vacuum chamber,e. creating an RF potential between said target and said substrate, said RF potential being sufficient to sputter material from the sputtering target and deposit said material on said substrate to thereby produce a layer of deposited material on said substrate, said layer having the same composition as the composition of the sputtering target.

이 특허에 인용된 특허 (10)

Anderson Marc A. (Madison WI) Xu Qunyin (Plainsboro NJ) Bischoff Brian L. (Madison WI), Ceramic membranes with enhanced thermal stability.
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Nelson Carl W. (Hayward CA) Weir Richard D. (Agoura Hills CA), Circularly symmetric, large-area, high-deposition-rate sputtering apparatus for the coating of disk substrates.
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Chandross Edwin A. (Murray Hill NJ) Fleming Debra A. (Lake Hiawatha NJ) Johnson ; Jr. David W. (Bedminster NJ) MacChesney John B. (Lebanon NJ) Walz ; Jr. Frederick W. (Plainfield NJ), Manufacture of vitreous silica product via a sol-gel process using a polymer additive.
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Hench Larry L. (Gainesville) Wang Shi-Ho (Gainesville FL), Method for rapid production of large sol-gel SiO₂ containing monoliths of silica with and without transiti.
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Takeoka Yoshikatsu (Kawasaki JPX) Ozawa Norio (Kawasaki JPX) Yasuda Nobuaki (Zushi JPX), Method of producing an optical information recording medium.
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Winyall Milton E. (Ellicott City MD) Acker Ellsworth G. (Baltimore MD), Method of selectively producing high pore volume silica gel.
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Takeshima Eiki (Chiba JPX), Process and apparatus for coating fine powders.
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Hartig Klaus (Ronneburg DEX) Szczyrbowski Joachim (Goldbach DEX), Process and apparatus for reactive coating of a substrate.
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Shoup Robert D. (Corning NY), Sol-gel method for making ultra-low expansion glass.
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Wicks George G. (Aiken SC) Livingston Ronald R. (Aiken SC) Baylor Lewis C. (North Augusta SC) Whitaker Michael J. (North Augusta SC) O\Rourke Patrick E. (Martinez GA), Tetraethyl orthosilicate-based glass composition and method.
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IPC 상위 출원인

MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD (517)

MITSUBISHI MATERIALS CORP (351)

HITACHI LTD (347)

TOSHIBA CORP (284)

HITACHI METALS LTD (283)

IPC 상세정보(version : 8)

특허정보

IPC Description

A 생활필수품

A62 인명구조; 소방(사다리 E06C)

A62B 인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)

A62B-1/08 .. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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