[특허]Process and device for the production of epitaxial layers

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Process and device for the production of epitaxial layers 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-025/02 B23K-026/12
출원번호	US-0620876 (1996-03-22)
우선권정보	DE-0010318 (1995-03-22)
발명자 / 주소	Dieter Ralph,DEX Opower Hans,DEX Weyer Heinrich,DEX
출원인 / 주소	Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- und Raumfahrt e.V., DEX
대리인 / 주소	Lipsitz
인용정보	피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9

초록 ▼

Layers of compound semiconductor 60 are grown epitaxially on a substrate 40. One or more components 24 are removed from a target 14 by a supply of energy 18, and reacted with gas surrounding the target. The gas stream conveys the components through a nozzle 34 to achieve a uniform layer on the subst

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A process for producing layers of compound semiconductors on a substrate by means of epitaxy, comprising the steps of:providing a target material comprising a first component of a compound semiconductor material to be deposited epitaxially,providing a gas surrounding the target material, said gas comprising a second component of the compound semiconductor material to be deposited epitaxially,providing a supply of energy to the target material to remove said first component from the target by ablation,using said supply of energy as a sole supply of energy for causing a reaction of said first component removed from the target with said second component in said gas to form said compound semiconductor material,wherein a particle stream emanating from the target and comprising said components of said compound semiconductor material is formed, andproviding a carrier gas stream to convey said components of said compound semiconductor material in said particle stream in a direction of the substrate to enable said compound semiconductor material to grow as an epitaxial layer on the substrate.

이 특허에 인용된 특허 (9)

Noreika Alexander J. (Pittsburgh PA) Francombe Maurice H. (Pittsburgh PA), Deposition of solid semiconductor compositions and novel semiconductor materials.
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Wadley Haydn N. G. (Keswick VA) Groves James F. (Charlottesville VA), Directed vapor deposition of electron beam evaporant.
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Doll Gary L. (Utica MI) Sell Jeffrey A. (West Bloomfield MI) Peck Charles A. (Royal Oak MI), Laser deposition of cubic boron nitride films.
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Venkatesan Thirumalai (Bridgewater NJ) Wu Xin D. (Highland Park NJ), Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films.
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Eres Diula (Knoxville TN) Lowndes Douglas H. (Oak Ridge TN), Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets.
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Schmitt Jerome J. (265 College St. (12N) New Haven CT 06510), Method and apparatus for the deposition of solid films of a material from a jet stream entraining the gaseous phase of s.
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Noda Etsuo (Fujisawa JPX) Suzuki Setsuo (Yokohama JPX) Morimiya Osami (Tokyo JPX) Hayashi Kazuo (Tokyo JPX), Method for manufacturing an oxide superconductor thin film.
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Gartner Georg (Aachen DEX) Lydtin Hans (Stolberg DEX), Method of manufacturing ultrafine particles and their application.
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Opower Hans (Krailling DEX) Koesters Kurt (Puchenau ATX) Ebner Reinhold (Trofaiach ATX), Process for coating substrate material.
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이 특허를 인용한 특허 (2)

Schmitt, Jason; Lu, Peng; Jones, Jeremy, Bulk diffusion crystal growth of nitride crystal.
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Wang, Shih-Ming; Liao, Pang-Hung; Wang, Cheng-Tu, Vapor chamber having no gas discharging protrusion and manufacturing method thereof.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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