[특허]Etch stop for use in etching of silicon oxide

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Etch stop for use in etching of silicon oxide 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/58
출원번호	US-0850461 (1997-05-05)
발명자 / 주소	Cathey David A. Rolfson J. Brett Ward Valerie A. Winchester Karen M.
출원인 / 주소	Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소	Fletcher, Yoder & Van Someren
인용정보	피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 9

초록 ▼

A etch stop layer for use in a silicon oxide dry fluorine etch process is made of silicon nitride with hydrogen incorporated in it either in the form of N--H bonds, O--H bonds, or entrapped free hydrogen. The etch stop layer is made by either increasing the NH.sub.3 flow, decreasing the SiH.sub.4 flow, decreasing the nitrogen flow, or all three, in a standard PECVD silicon nitride fabrication process. The etch stop can alternatively be made by pulsing the RF field in either a PECVD process or an LPCVD process.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] An integrated circuit comprising:a substrate;a layer of hydrogenated silicon nitride disposed on the substrate, wherein the layer of hydrogenated silicon nitride comprises entrapped hydrogen in a concentration of greater than 1.times.10.sup.15 atoms per cubic centimeter; andan etched layer disposed over the layer of hydrogenated silicon nitride, selected areas of the etched layer being removed stopping on the layer of hydrogenated silicon nitride.

이 특허에 인용된 특허 (9)

Tam Gordon (Chandler AZ) Legge Ronald N. (Scottsdale AZ) Paulson Wayne M. (Austin TX), Differential etching of silicon nitride.
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Armacost Michael D. (Wallkill NY) Dobuzinsky David (Hopewell Junction NY) Gambino Jeffrey (Gaylordsville CT) Nguyen Son (Hopewell Junction NY), High density selective SiO₂:Si₃N₄ etching using a stoichiometrically altered n.
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Toshima Masato (Sunnyvale CA) Wong Jerry (Fremont CA), Hydrogen evolution analyzer.
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Schuermeyer Fritz L. (Yellow Springs OH), Method of making self-aligned IGFET.
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Hayakawa Takashi (Nara JPX) Narikawa Shiro (Kashihara JPX) Ohashi Kunio (Nara JPX) Tsujimoto Yoshiharu (Yamatokoriyama JPX), Photosensitive member for electrophotography and process for making using electron cyclotron resonance.
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Logan Joseph S. (Poughkeepsie NY) Mauer ; IV John L. (Sherman CT) Rothman Laura B. (Sherman CT) Schwartz Geraldine C. (Poughkeepsie NY) Standley Charles L. (Wappingers Falls NY), Planar multi-level metal process with built-in etch stop.
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Nakahigashi Takahiro (Kyoto JPX) Murakami Hiroshi (Kyoto JPX) Otani Satoshi (Osaka JPX) Tabata Takao (Kyoto JPX) Maeda Hiroshi (Kyoto JPX) Kirimura Hiroya (Kyoto JPX) Kuwahara Hajime (Kyoto JPX), Plasma-CVD method and apparatus.
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Yamamoto Hiroshi (Suwa JPX), Semiconductor device having a passivation layer with silicon nitride layers.
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Huang Richard J. (Milpitas CA) Hui Angela (Milpitas CA) Cheung Robin (Cupertino CA) Chang Mark (Los Altos CA) Lin Ming-Ren (Cupertino CA), Simplified dual damascene process for multi-level metallization and interconnection structure.
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이 특허를 인용한 특허 (6)

Cathey David A. ; Rolfson J. Brett ; Ward Valerie A. ; Winchester Karen M., Etch stop for use in etching of silicon oxide.
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Cathey, David A.; Rolfson, J. Brett; Ward, Valerie A.; Winchester, Karen M., Etch stop for use in etching of silicon oxide.
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Effiong Ibok, Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide.
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Chen Cheng Chou TW; Tzong-Sheng Chang TW, Method of forming and etching a resist protect oxide layer including end-point etch.
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Kim, Young-Wug; Kim, Byung-Sun; Kang, Hee-Sung; Ko, Young-Gun; Park, Sung-Bae; Kim, Min-Su; Kim, Kwang-Il, SOI semiconductor integrated circuit for eliminating floating body effects in SOI MOSFETs and method of fabricating the same.
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Kim, Young-Wug; Kim, Byung-Sun; Kang, Hee-Sung; Ko, Young-Gun; Park, Sung-Dae; Kim, Min-Su; Kim, Kwang-Il, SOI semiconductor integrated circuit for eliminating floating body effects in SOI MOSFETs and method of fabricating the same.
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IPC 상위 출원인

Micron Technology, Inc. (121)

International Business Machines Corporation (90)

삼성전자주식회사 (80)

Advanced Micro Devices, Inc. (73)

NEC CORP (35)

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[특허] Etch stop layer system

저작권 관리 안내

IPC 상세정보(version : 8)

특허정보

IPC Description

A 생활필수품

A62 인명구조; 소방(사다리 E06C)

A62B 인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)

A62B-1/08 .. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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Multilingual-E5-large

https://huggingface.co/intfloat/multilingual-e5-large
License : MIT (View the license)

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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