[특허]Method for testing semiconductor thin gate oxide

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[미국특허] Method for testing semiconductor thin gate oxide 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G01R-031/26
출원번호	US-0738510 (1996-10-24)
발명자 / 주소	Arora Parkash S. Aum Paul K.
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated
대리인 / 주소	Brady, III
인용정보	피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4

초록 ▼

A method for testing thin gate oxide integrity of a semiconductor device includes the steps of performing a current or voltage ramp test on the thin gate oxide semiconductor device. The resultant current and voltage data points indicating an increasing magnitude of current flowing through the thin gate oxide and corresponding increasing magnitude of voltage across the thin gate oxide are measured and recorded (14, 16). A slope is then computed between each successive pair of data points and stored (20). Each successive pair of computed slopes are then compared against a predetermined setpoint (22), where a possible kink point is detected if a pair of successive computed slopes has a difference greater than the predetermined setpoint (24).

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method for testing thin gate oxide integrity of a semiconductor device, comprising the steps of:performing a ramp test on said thin gate oxide, and measuring and recording a plurality of data points indicating an increasing magnitude of current flowing through said thin gate oxide and corresponding increasing magnitude of voltage across said thin gate oxide;computing a slope between each successive pair of data points and storing a plurality of computed slopes;comparing each successive pair of computed slopes; andidentifying a possible kink point in response to a pair of successive computed slopes having a difference greater than a predetermined setpoint.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Yasue Takao,JPX ; Nishioka Tadashi,JPX, Apparatus for analyzing thin film property.
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Gabriel Calvin T. (Cupertino CA) Nariani Subhash R. (San Jose CA), Method and apparatus for wafer level prediction of thin oxide reliability.
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Om Kum-Yong,KRX, Method of measuring the breakdown charge of a dielectric film.
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Wei Yi-Hen (Santa Clara CA), Per-wafer method for globally stressing gate oxide during device fabrication.
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이 특허를 인용한 특허 (8)

Jae-Min Ahn KR; Soon-Young Yoon KR; Hee-Won Kang KR; Young-Ky Kim KR; Jong-Seon No KR; Hong-Yeop Song KR; Ha-Bong Chung KR; Je-Woo Kim KR, Device and method for generating spread spectrum signal using pseudo-orthogonal code in CDMA mobile communications system.
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Henaux Stephane,FRX, Electrical characterization of an insulating layer covering a conducting or semiconducting substrate.
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Edward E. Miller, Method and arrangement for dielectric integrity testing using PLL loop capacitor.
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Michael E. Barsky ; Richard Lai ; Ronald W. Grundbacher ; Rosie M. Dia ; Yaochung Chen, Method for determining etch depth.
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Saito, Hisayuki, Method for evaluating silicon wafer.
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Chanda, Kaushik; Rathore, Hazara S.; McLaughlin, Paul S.; Edwards, Robert D.; Clevenger, Lawrence A.; Cowley, Andrew P.; Yang, Chih-Chao; Barile, Conrad A., Method for prediction of premature dielectric breakdown in a semiconductor.
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Arcus,Christopher G., PLL with built-in filter-capacitor leakage-tester with current pump and comparator.
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Wang Mu-Chun,TWX ; Fu Kuan-Yu,TWX, Statistical method of monitoring gate oxide layer yield.
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A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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