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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0781254 (1997-01-10) |
우선권정보 | JP-0111790 (1993-05-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 3 |
In a method of evaluating the reliability of a thin film transistor (TFT), time coefficient .beta., voltage coefficient d and temperature coefficient .phi..sub.0 are experimentally produced from -BT stress tests, and the life of a TFT under -BT stress conditions is evaluated using the following expr
[ What is claimed is:] [1.] In a TFT having a channel layer of a silicon thin film and a gate insulating film of a silicon oxide film, a method of evaluating the reliability of the TFT in a -BT stress state in which a gate is supplied with arbitrary constant voltage V.sub.G and held at an arbitrary
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