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특허 상세정보

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Process for producing silicon carbide

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-031/36   
미국특허분류(USC) 423/345
출원번호 US-0750393 (1996-12-06)
우선권정보 NO-0002090 (1994-06-06)
국제출원번호 PCT/NO95/00091 (1995-06-02)
§371/§102 date 19961206 (19961206)
국제공개번호 WO-9533683 (1995-12-14)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Carstens, Yee & CahoonCahoon
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 5
초록

Silicon carbide is produced in two steps in that silicon dioxide and a carbon source in a first step is reacted at a temperature in the range of 1500-1800.degree. C., whereby the silicon dioxide and the carbon source react to form .beta.-silicon carbide. The resulting .beta.-silicon carbide formed is subsequently treated at a temperature of 1800-2300.degree. C. for conversion of the .beta.-silicon carbide into the desired end product, via .alpha.-silicon carbide.

대표
청구항
▼

[ We claim:] [1.] A process for the production of .alpha.-silicon carbide by reacting approximately stoichiometric amounts of silicon dioxide and a carbon source in a furnace at a temperature in the range of 1500-2300.degree. C. and ambient atmosphere, which process comprises a first step in which the silicon dioxide and the carbon source are continuously fed to a furnace and reacted at a temperature in the range of 1500-1800.degree. C. forming .beta.-silicon carbide, and a second step in which the thus formed .beta.-silicon carbide continuously is withd...

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston) Chwastiak Stephen (East Amherst) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY). Method for making hexagonal silicon carbide platelets with the addition of a growth additive. USP1993045202105.
  2. Weaver Samuel C. (Knox County TN) Nixdorf Richard D. (Knox County TN). Method for the preparation of silicon carbide platelets. USP1990034906324.
  3. Krstic Vladimir D. (7 Lochinvar Road Kingston ; Ont. CAX K7M 6R9). Method of making silicon carbide. USP1991065021230.
  4. Enomoto Ryo (Ohgaki JPX) Yoshioka Mitihiro (Yoro JPX) Yokoyama Takao (Ohgaki JPX). Process and an apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of beta-type crystal. USP1979074162167.
  5. Parent Luc (Chicoutimi CAX). Process for producing silicon carbide platelets. USP1993115258170.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 12

  1. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Boron carbide fiber reinforced articles. USP20190210208238.
  2. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same. USP2016039275762.
  3. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M.. Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation. USP2014028648284.
  4. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M.. Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation. USP2017069688583.
  5. Garnier, John E.. Metal carbide fibers and methods for their manufacture. USP2017109803296.
  6. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Methods for producing silicon carbide fibers. USP2016039272913.
  7. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Methods of producing continuous boron carbide fibers. USP2015129199227.
  8. Angier,Derek J.; Rhodes,James F.; Rogers,William M.. Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers. USP2006087083771.
  9. Denis A. Brosnan. Process for recycling spent pot liner. USP2002106471931.
  10. Garnier, John E.; Griffith, George W.. Silicon carbide fibers and articles including same. USP2015018940391.
  11. Angier,Derek J.; Rhodes,James F.; Rogers,William M.. Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom. USP2006057041266.
  12. Masuda, Kenta; Ichitsubo, Kouki; Kawano, Kohei; Suzuki, Masakazu; Kumasaka, Jun; Tanaka, Hideaki. Silicon carbide powder and method for producing same. USP2016079382121.

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