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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0750393 (1996-12-06) |
우선권정보 | NO-0002090 (1994-06-06) |
국제출원번호 | PCT/NO95/00091 (1995-06-02) |
§371/§102 date | 19961206 (19961206) |
국제공개번호 | WO-9533683 (1995-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 5 |
Silicon carbide is produced in two steps in that silicon dioxide and a carbon source in a first step is reacted at a temperature in the range of 1500-1800.degree. C., whereby the silicon dioxide and the carbon source react to form .beta.-silicon carbide. The resulting .beta.-silicon carbide formed i
[ We claim:] [1.] A process for the production of .alpha.-silicon carbide by reacting approximately stoichiometric amounts of silicon dioxide and a carbon source in a furnace at a temperature in the range of 1500-2300.degree. C. and ambient atmosphere, which process comprises a first step in which t
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