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[미국특허] Method of fabricating a laterally continuously graded mercury cadmium telluride layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-033/02
출원번호 US-0831813 (1997-04-02)
발명자 / 주소
  • Chandra Dipankar
  • Weirauch Donald F.
  • Penn Thomas C.
출원인 / 주소
  • Raytheon Company
대리인 / 주소
    Baker & Botts, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 21

초록 ▼

Methods are described for the depositing of a plurality of films, preferably mercury cadmium telluride (HgCdTe), whose compositions vary in a controlled manner to provide unique infrared spectral absorption and detection properties. HgCdTe films 64 and 70 are deposited on opposite sides of electrica

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A method of fabricating a continuously graded HgCdTe layer said method comprising:a) growing a laterally continuous HgCdTe film with a constant ratio of Hg to Cd;b) laterally, non-uniformly, heating said film to change the ratio of Hg to Cd in said film thereby creating a continuou

이 특허에 인용된 특허 (21) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Ebe Hiroji (Kawasaki JPX) Sawada Akira (Kawasaki JPX), (111) Group II-VI epitaxial layer grown on (111) silicon substrate.
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  2. McKee Richard C. (Glenwood MD) Thompson Leslie L. (Bowie MD) Eden Dayton D. (Dallas TX) Case William E. (Arlington TX) Schimert Thomas R. (Grand Prairie TX), Back surface illuminated infrared detector.
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  3. Harris Karl A. (Liverpool NY) Myers ; II Thomas H. (Westover WV) Yanka Robert W. (Liverpool NY), CDTE x-ray detector for use at room temperature.
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  4. Huang Chao (Goleta CA) Norton Paul R. (Santa Barbara CA), Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions.
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  5. Axmark Roger E. (Bloomington MN) Satren Ernest A. (Bloomington MN), Dual detector flame sensor.
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  6. Kern Mark T. (Goleta CA) Shamordola Kenneth A. (Santa Barbara CA), Dual spectrum frequency responding fire sensor.
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  7. Kern Mark T. (Goleta CA) Shamordola Kenneth A. (Santa Barbara CA), Dual spectrum frequency responding fire sensor.
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  8. Kern Mark T. (Goleta CA) Cinzori Robert J. (Santa Barbara CA), Dual spectrum infrared fire sensor.
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  9. Osbourn Gordon C. (Albuquerque NM), Electro-optical SLS devices for operating at new wavelength ranges.
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  10. Rosbeck Joseph P. (Goleta CA) Kasai Ichiro (Santa Barbara CA), Graded gap inversion layer photodiode array.
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  11. Kosai Kenneth (Goleta CA) Wilson Jerry A. (Goleta CA) Baumgratz Bonnie A. (Goleta CA), Integrated LPE-grown structure for simultaneous detection of infrared radiation in two bands.
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  12. Bartoli Filbert J. (Upper Marlboro MD) Hoffman Craig A. (Columbia MD) Meyer Jerry R. (Catonsville MD) Lindle James R. (Bowie MD), Laser hardened backside illuminated optical detector.
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  13. Zanio Ken (El Toro CA) Bean Ross C. (Santa Ana CA), Manufacture of monolithic infrared focal plane arrays.
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  14. Chandra Dipankar ; Weirauch Donald F. ; Penn Thomas C., Mercury cadmium telluride infrared filters and detectors and methods of fabrication.
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  15. Wang Cheng-Chi (Westlake Village) Liu Yet-Zen (Westlake Village) Chu Muren (Thousand Oaks CA), Method of making an infrared detector.
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  16. Kern Mark T. (Goleta CA) Cinzori Robert J. (Santa Barbara CA), Microprocessor-controlled fire sensor.
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  17. Hamilton ; Jr. William J. (Ventura CA) Johnson Scott M. (Santa Barbara CA) Ahlgren William L. (Goleta CA), Multilayer buffer structure including II-VI compounds on a silicon substrate.
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  18. Castro Carlos A. (Garland TX), Process for forming semiconductor alloys having a desired bandgap.
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  19. Rhiger David R. (Santa Barbara CA), Semiconductor gamma ray detector including compositionally graded, leakage current blocking potential barrier layers and.
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  20. Kawano Masaya (Tokyo JPX), Si base substrate covered by a CdTe or Cd-rich CdZnTe layer.
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  21. Lear Kevin L. (Albuquerque NM), Unitary lens semiconductor device.
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이 특허를 인용한 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Audet, Nicholas; Levitcharsky, Blagovest, Cadmium telluride production process.
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  2. Chandra Dipankar ; Weirauch Donald F. ; Penn Thomas C., Integrated infrared detection system.
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  3. Goldbach, Matthias; Holz, Jürgen, Method of fabricating an integrated circuit.
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