$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[미국특허] Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/34
출원번호 US-0782184 (1997-01-14)
발명자 / 주소
  • Fu Jianming
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소
    Thomason Moser & Patterson
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 19

초록

The present invention generally provides a target structure that allows uniform erosion and efficient utilization of a sputterable material while reducing particle generation caused by backscatter deposition. The target has an annular region comprised of sputterable material and a central region con

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A target for a physical vapor deposition system, comprising:a backing plate having an annular region and a central region, the central region having a substantially convex exposed collection surface; anda sputterable material disposed on the annular region of the backing

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Anderson Robert L. (Palo Alto CA), Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target.
  2. Wegmann Urs (Oberschan CHX) Rille Eduard (Dornbirn ATX), Apparatus for coating materials by cathode sputtering.
  3. Shimizu Tamotsu (Yokohama JPX) Nishijima Hikaru (Takasaki JPX) Oyamada Takeshi (Takasaki JPX) Kobayashi Shigeru (Tokyo JPX), Conical-frustum sputtering target and magnetron sputtering apparatus.
  4. Lamont ; Jr. Lawrence T. (San Jose CA) Mosely Roderick C. (Mountain View CA) McEntee Timothy M. (Milpitas CA), Deposition and planarizing methods and apparatus.
  5. Lamont ; Jr. Lawrence T. (Mountain View CA), Magnetically enhanced sputter source.
  6. Robinson Merrill G. (Ann Arbor MI), Magnetron cathode sputtering apparatus.
  7. Bourez Allen J. (San Jose CA) Lal Brij B. (San Jose CA) Eltoukhy Atef H. (Saratoga CA), Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field.
  8. Maydan Dan (Los Altos Hills CA) Somekh Sasson (Redwood City CA) Cheng Mei (San Jose CA) Cheng David (San Jose CA), Magnetron-enhanced plasma etching process.
  9. Saito Hiroshi (Fujisawa JPX) Suzuki Yasumichi (Yokohama JPX) Sano Shuuzoo (Yokohama JPX) Shimizu Tamotsu (Yokohama JPX) Aiuchi Susumu (Yokohama JPX), Method and apparatus for microwave assisting sputtering.
  10. Hurwitt Steven D. (Park Ridge NJ) Wagner Israel (Monsey NY) Hieronymi Robert (Rock Cavern NY) Van Nutt Charles (Monroe NY), Method and apparatus for sputter coating stepped wafers.
  11. Wasa Kiyotaka (Nara JA) Ohji Kenzo (Hirakata JA) Yamazaki Osamu (Suita JA) Hayakawa Shigeru (Hirakata JA), Method of making crystal films.
  12. Krivokapic Zoran (Santa Clara CA) Bang David S. (Palo Alto CA), PVD sputter system having nonplanar target configuration and methods for operating same.
  13. Parker Norman W. (Fairfield CA), Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter.
  14. Tepman, Avi, Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity.
  15. Obinata Hisaharu,JPX, Small size sputtering target and high vacuum sputtering apparatus using the same.
  16. Lamont ; Jr. Lawrence T. (Mountain View CA), Sputter target for use in a sputter coating source.
  17. Kiyota, Hideharu; Horiuchi, Mitsuaki, Sputtering apparatus.
  18. Lal Brij B. (San Jose CA) Shinohara Tadashi (Fremont CA), Sputtering target and assembly.
  19. Rainey ; Robert M., Target profile for sputtering apparatus.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. Ford, Robert B.; Michaluk, Christopher A., Hollow cathode target and methods of making same.
  2. Ford,Robert B.; Michaluk,Christopher A., Hollow cathode target and methods of making same.
  3. Braeckelmann, Walter Gregor, Method for forming a sputtered layer and apparatus therefor.
  4. Tang, Deming, Method for processing a thin film micro device on a substrate.
  5. Huang, Herb He, Method of fabricating and encapsulating MEMS devices.
  6. Pitcher, Philip George; Yan, Zhihua, Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations.
  7. Scheible, Kathleen; Flanigan, Michael Allen; Yoshidome, Goichi; Allen, Adolph Miller; Pavloff, Cristopher M., Process kit and target for substrate processing chamber.
  8. Takahashi,Nobuyuki, Sputtering device.
  9. Tsuyoshi Sahoda JP; Toshimitsu Uehigashi JP; Yasushi Higuchi JP; Kuniaki Nakajima JP; Tomoyasu Kondo JP, Sputtering device.
  10. Allen, Adolph Miller; Yoon, Ki Hwan; Guo, Ted; Yang, Hong S.; Yu, Sang-Ho, Sputtering target having increased life and sputtering uniformity.
  11. Ritchie, Alan Alexander; Young, Donny; Hong, Ilyoung (Richard); Scheible, Kathleen A.; Kelkar, Umesh, Target for sputtering chamber.

활용도 분석정보

상세보기
다운로드
내보내기

활용도 Top5 특허

해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로