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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0111462 (1998-07-07) |
우선권정보 | DE-0029596 (1997-07-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 1 |
A stray radiation grid for penetrating radiation is produced by starting with a carrier material and producing holes in a first surface thereof, and subsequently filling the holes with penetrating radiation absorbing material. A second, opposite surface of the carrier block is etched away to reduce
[ We claim as our invention:] [1.] A stray radiation grid for penetrating radiation comprising:a carrier comprised of silicon and having a plurality of holes extending through said carrier, said holes being arranged in said carrier in a plurality of spaced, substantially parallel rows, said carrier
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