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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021788 (1998-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 349 인용 특허 : 50 |
A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organo silane compound and an oxidizing gas. The oxidized organo silane film has excellent barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organo silane film can a
[ What is claimed is:] [1.] A method for depositing a low dielectric constant film, comprising reacting an organo silane compound and an oxidizing gas at plasma conditions sufficient to deposit a film on a substrate, the plasma conditions comprising a high frequency RF power density from about 0.16
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