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Constant resistance deep level transient spectroscopy (CR-DLTS) system and method, averging methods for DLTS, and apparatus for carrying out the methods 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01R-031/26
출원번호 US-0048207 (1998-03-26)
발명자 / 주소
  • Kolev Plamen Vassilev,CAXITX V5L 1J8
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 6

초록

A system, methods and apparatus for determining the properties of electrically active imperfections in semiconductor materials by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) are disclosed. Source-drain resistance of a field-effect transistor (FET) is compared with a reference resistor and the differenc

대표청구항

[ Wherefore, the following is claimed:] [1.] A combination of numerical methods for processing of a deep level transient spectroscopy (DLTS) transient signal with continuous distribution in time and in intensity, comprising the steps of:a. converting said DLTS transient signal from one period in a p

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Dlugos Daniel F. (Huntington CT), Circuit for establishing the average value of a number of input values.
  2. Doolittle William A. (Stockbridge GA) Rohatgi Ajeet (Marietta GA), Deep level transient spectroscopy (DLTS) system and method.
  3. Debrunner Peter (Urbana IL) Frauenfelder Hans (Urbana IL), Digital signal averager with logarithmic time base.
  4. Ferenczi Gyrgy (Budapest HUX) Horvath Peter (Budapest HUX) Toth Ferenc (Budapest HUX) Kiss Jozsef (Budapest HUX) Boda Janos (Budapest HUX), Method for deep level transient spectroscopy scanning and apparatus for carrying out the method.
  5. Ferenczi Gyrgy (Budapest HUX) Boda Jnos (Budapest HUX) Tth Ferenc (Budapest HUX) Horvth Peter (Budapest HUX) Benkovics Lszl (Dunakeszi HUX) Dzsa Lszl (rd HUX), Method for determining charged energy states of semiconductor or insulator materials by using deep level transient spect.
  6. Williams Clayton C. (Salt Lake City UT) Huang Yunji (Salt Lake City UT), Quantitative two-dimensional dopant profile measurement and inverse modeling by scanning capacitance microscopy.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Kenji Yamaguchi JP, Characteristic evaluation apparatus for insulated gate type transistors.
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