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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0048207 (1998-03-26) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
A system, methods and apparatus for determining the properties of electrically active imperfections in semiconductor materials by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) are disclosed. Source-drain resistance of a field-effect transistor (FET) is compared with a reference resistor and the differenc
[ Wherefore, the following is claimed:] [1.] A combination of numerical methods for processing of a deep level transient spectroscopy (DLTS) transient signal with continuous distribution in time and in intensity, comprising the steps of:a. converting said DLTS transient signal from one period in a p
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