[특허]Semiconductor circuit and power transistor protection circuit

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G05F-001/10 G05F-003/02
출원번호	US-0055912 (1998-04-07)
우선권정보	JP-0269846 (1997-10-02)
발명자 / 주소	Igarashi Takashi,JPX
출원인 / 주소	Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보	피인용 횟수 : 36 인용 특허 : 6

초록 ▼

A decision circuit (10) monitors a main current flowing in an IGBT (1), and when operation of the IGBT (1) enters an overcurrent state and the control voltage applied to the control terminal (G) of the IGBT (1) is equal to or larger than the threshold voltage, it determines that the IGBT (1) is in the overcurrent state and places the IGBT (1) in an OFF state, and also outputs the result of the determination as an output signal to an external microcomputer from an error output terminal (9). Receiving this output signal, the microcomputer immediately fixes driving signals for the IGBT (1) and another IGBTs at an OFF signal level to disconnect these IGBTs, thus preventing the main current of the IGBT (1) from increasing to a still larger overcurrent to protect the IGBT (1). Generation of a turn-off surge voltage is suppressed in the overcurrent state by detecting the overcurrent state of the power transistor by earlier timing.

대표청구항 ▼

[ I claim:] [1.] A semiconductor circuit comprising:a power transistor comprising a first main electrode connected to a load, a second main electrode, and a control electrode, said power transistor passing a main current between said first main electrode and said second main electrode when a control voltage applied to said control electrode is equal to or larger than a threshold voltage;an output signal line receiving and transmitting an input signal having an ON signal level and an OFF signal level which alternately and periodically vary;a driving circuit comprising an input end connected to said input signal line and an output end connected to said control electrode of said power transistor, said driving circuit outputting said control voltage equal to or larger than said threshold voltage from said output end after a delay corresponding to an ON delay time has passed after input of said input signal when the level of said input signal is at said ON signal level, and outputting said control voltage smaller than said threshold voltage from said output end after a delay corresponding to an OFF delay time has passed after input of said input signal when said level of said input signal is at said OFF signal level; anda decision circuit connected to said power transistor to receive said main current as a first input signal and connected to said control electrode of said power transistor to receive said control voltage of said power transistor as a second input signal, said decision circuit determining that said power transistor is in an overcurrent state when detecting that said control voltage is equal to or larger than said threshold voltage and said main current is equal to or larger than a certain threshold current.

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IPC	Description
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