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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0749186 (1996-11-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 31 |
This pertains generally to precursors and deposition methods suited to aerogel thin film fabrication of nanoporous dielectrics. A method of forming a nanoporous dielectric on a semiconductor substrate is disclosed. By a method according to the present invention, a precursor sol is applied as a nonge
[ We claim:] [1.] A method for forming a nanoporous dielectric on a semiconductor substrate; the method comprising the steps of:a) providing a semiconductor substrate having a first surface;b) depositing a thickness of a precursor sol upon said first surface;c) allowing said deposited sol to create
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