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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0206411 (1998-12-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 7 |
Cathode filaments are recrystallized to a microstructure that maintains ductility for proper alignment and electron emission capability. The method comprises controlled heating of a cathode filament from an ambient temperature T.sub.amb to its recrystallization temperature T.sub.recryst ; controlled
[ I claim:] [1.] A method of recrystallizing a tungsten-rhenium cathode filament, the tungsten-rhenium cathode filament possessing a recrystallization temperature T.sub.recryst, the method comprising:controllably gradually heating a cathode filament from about an ambient temperature T.sub.amb and co
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