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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0084458 (1998-05-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 18 |
A method for forming semiconductor devices involves defining a pattern of microspheres on a first structure and transferring that pattern of microspheres to a semiconductor structure. The microspheres may then be used as a mask to define features on the semiconductor structure. In this way, it is po
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a semiconductor device comprising:defining a microsphere pattern by forming a plurality of cavities in the surface of a microsphere supporting structure;depositing microspheres randomly on said structure;collecting microspheres in said cavities;using s
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