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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0928429 (1997-09-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 11 |
The degradation of integrity of the gate oxide in a CMOS transistor due to the formation of a tungsten silicide strapping layer on the polycrystalline silicon gate as a result of the migration of fluorine atoms from the tungsten hexafluoride used to form the tungsten silicide is reduced by increasin
[ We claim:] [1.] A method of fabricating a semiconductor device which comprises:forming a gate oxide layer on a semiconductor substrate;forming at least one polycrystalline silicon layer over said gate oxide layer, said at least one polycrystalline silicon layer being formed with a dopant concentra
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