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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0980797 (1997-12-01) |
우선권정보 | JP-0318957 (1996-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 37 인용 특허 : 4 |
A thin film transistor (TFT) is provided with a precisely, lightly doped drain (LDD) structure formed on a substrate of insulators, such as a glass sheet. A method of making the TFT and a liquid crystal display device with the same are disclosed. The TFT with the LDD structure include a side wall an
[ What we claim is:] [1.] A method of manufacturing a thin film transistor comprising steps of:forming a gate electrode on a glass substrate;forming a gate insulating layer to cover said gate electrode;forming a semiconductor layer on said gate insulation layer;patterning said semiconductor layer to
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