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[미국특허] Oxide etch barrier formed by nitridation 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/76
출원번호 US-0024809 (1998-02-17)
발명자 / 주소
  • Hames Greg A.
출원인 / 주소
  • Texas Instruments Incorporated
대리인 / 주소
    Brady III
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 3

초록 ▼

A structure and method for slowing down the etch rate of CVD oxide film 230 relative to the etch rate of thermal oxide 210 to prevent excessive removal of CVD oxide 230 during the stripping of the thermal oxide 210. Nitridation has been shown to be effective at retarding the etch rate of oxides. The

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A method of fabricating an integrated circuit structure, comprising the steps of:a. forming a thick field dielectric comprising silicon and oxygen;b. at least partially nitriding the surface of said thick field dielectric to provide a nitrogen-containing composition at th

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Pfiester James R. (Austin TX) Kenkare Prashant (Austin TX) Cooper Kent J. (Austin TX) Nguyen Bich-Yen (Austin TX), Method for forming electrical isolation in an integrated circuit.
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  2. Koo Bon-young (Kyungki-do KRX) Chung Byung-hong (Seoul KRX) Kim Hee-seok (Kyungki-do KRX) Kim Yun-gi (Kangwon-do KRX), Methods of forming isolated semiconductor device active regions.
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  3. Hori Takashi (Takatsuki JPX), Semiconductor device and method for fabricating the same.
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이 특허를 인용한 특허 (20) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Ronald A. Weimer ; Yongjun Jeff Hu ; Pai Hung Pan ; Deepa Ratakonda ; James Beck ; Randhir P. S. Thakur, Forming a conductive structure in a semiconductor device.
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  2. Weimer, Ronald A.; Hu, Yongjun Jeff; Pan, Pai Hung; Ratakonda, Deepa; Beck, James; Thakur, Randhir P. S., Forming a conductive structure in a semiconductor device.
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  3. Dickerson, David L.; Lane, Richard H.; Dennison, Charles H.; Parekh, Kunal R.; Fischer, Mark; Zahurak, John K., Isolation region forming methods.
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  4. Lin, Yih-Ann; Lien, Hao-Ming; Chen, Ryan Chia-Jen; Lin, Jr Jung; Lin, Yu Chao; Lin, Chih-Han, Method for fabricating an isolation structure.
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  5. Efferenn, Dirk; Moll, Hans-Peter, Method for filling depressions on a semiconductor wafer.
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  6. Khare, Mukesh V.; D'Emic, Christopher P.; Hwang, Thomas T.; Jamison, Paul C.; Quinlivan, James J.; Ward, Beth A., Method for improved plasma nitridation of ultra thin gate dielectrics.
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  7. Fukuda, Masahiro; Sugimoto, Ken; Nishikawa, Masatoshi, Method of manufacturing semiconductor device.
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  8. Kammler, Thorsten; Radecker, Joerg; Streck, Christof, Methods of fabricating a semiconductor IC having a hardened shallow trench isolation (STI).
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  9. Moore, John T.; Blalock, Guy T., Methods of forming materials within openings, and methods of forming isolation regions.
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  10. Buehrer,Fred; Chou,Anthony I.; Furukawa,Toshiharu; Mo,Renee T, Nitridation of STI fill oxide to prevent the loss of STI fill oxide during manufacturing process.
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  11. Buehrer,Fred; Chou,Anthony I.; Furukawa,Toshiharu; Mo,Renee T., Nitridation of STI fill oxide to prevent the loss of STI fill oxide during manufacturing process.
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  12. Khare,Mukesh V.; D'Emic,Christopher P.; Hwang,Thomas T.; Jamison,Paul C.; Quinlivan,James J.; Ward,Beth A., Nitrided ultra thin gate dielectrics.
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  13. Beyer, Klaus D.; Jamin, Fen F.; Varekamp, Patrick R., Oxynitride shallow trench isolation and method of formation.
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  14. Klaus D. Beyer ; Fen F. Jamin ; Patrick R. Varekamp, Oxynitride shallow trench isolation and method of formation.
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  15. Inumiya Seiji,JPX ; Ozawa Yoshio,JPX, Semiconductor device and method for manufacturing the same.
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  16. Seiji Inumiya JP; Yoshio Ozawa JP, Semiconductor device and method for manufacturing the same.
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  17. Iwamoto, Kunihiko; Nabatame, Toshihide; Tominaga, Koji; Yasuda, Tetsuji, Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing metal compound thin film.
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  18. Moore,John T.; Blalock,Guy T., Semiconductor structures.
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  19. Ling-Sung Wang TW, Shallow trench isolation (STI) module to improve contact etch process window.
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  20. Ji, Hua; Kim, Dong Jun; Kim, Jin-Ho; Jang, Chuck, Trench isolation without grooving.
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