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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0298065 (1999-04-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 145 인용 특허 : 4 |
Native oxides can be removed from a substrate having high aspect ratio openings therein by using a plasma gas precursor mixture of a reactive halogen-containing gas and a carrier gas such as helium. The lightweight ions generated in the plasma react with oxygen to produce very volatile oxygen-contai
[ We claim:] [1.] A method for removing native oxide material from the bottom of high aspect ratio contact openings which comprisesetching the openings with a reactive plasma formed from a precursor mixture of halogen-containing gas and a carrier gas in a vacuum chamber to form lightweight oxygen-co
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