최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0341794 (1999-09-14) |
우선권정보 | GB-0000723 (1997-01-15) |
국제출원번호 | PCT/GB98/00100 (1998-01-13) |
§371/§102 date | 19990914 (19990914) |
국제공개번호 | WO-9832009 (1998-07-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 2 |
A gas-sensing semiconductor device 1 is fabricated on a silicon substrate 2 having a thin silicon oxide insulating layer 3 on one side and a thin silicon layer 4 on top of the insulating layer 3 using CMOS SOI technology. The silicon layer 4 may be in the form of an island surrounded by a silicon ox
[ What is claimed is:] [1.] A gas-sensing semiconductor device comprising a semiconductor substrate (2), a thin insulating layer (3) on one side of the substrate, and a thin semiconductor layer (4) on top of the thin insulating layer, wherein the device includes at least one sensing area in which th
해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.