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Particle trap apparatus and methods 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B01D-046/00
출원번호 US-0307292 (1999-05-07)
발명자 / 주소
  • Ueda Tetsuzo
  • Solomon Glenn S.
  • Miller David J.
출원인 / 주소
  • Matsushita Electronics Corporation, JPX
대리인 / 주소
    Lumen Intellectual Property Services
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 15

초록 ▼

A method for removing particulate matter from an exhaust stream, in which the exhaust stream is passed through a particle trap assembly. The trap assembly includes a particle trap having a trap inlet, a filter region located downstream from the trap inlet, and an upstream portion located upstream fr

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] A system, comprising:a reactor having a reactor inlet and a reactor outlet; anda trap assembly including a filter region, an upstream portion and a downstream portion, said trap assembly operably coupled directly to said reactor outlet, wherein said upstream portion has a

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Pham Thanh, Apparatus and method for controlling process chamber pressure.
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  2. Hokynar Jiri (Fraunhoferstrabe 11 8033 Martinsried DEX), Apparatus and method for treating material surfaces.
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  3. Takahashi Hironari,JPX, Apparatus for manufacturing semiconductor device and method of removing silicon oxidation film.
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  4. Matsumoto Shigeyuki (Atsugi JPX), Device for forming silicon oxide film.
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  5. Horiuchi Takashi,JPX ; Kobayashi Sensho,JPX ; Itoh Masahide,JPX ; Gomi Hisashi,JPX, Exhaust system for film forming apparatus.
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  6. Ozawa Osamu (Nagano JPX), Gas exhaust system and pump cleaning system for a semiconductor manufacturing apparatus.
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  7. Kanaya Koichi (Annaka JPX), Heat treatment furnace with an exhaust baffle.
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  8. Meyerson Bernard S. (Yorktown Heights NY), Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers.
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  9. Aitchison Kenneth Allen, Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors.
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  10. Cox Arthur Leo, Method and system for trapping contaminants formed during chemical vapor deposition processing of semiconductor wafers.
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  11. Olsen Roger A. (Amery WI) Wary John (Noblesville IN) Beach William F. (Bridgewater NJ), Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter.
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  12. Haferkorn Herbert (Bottrop DEX), Process for the fractional desublimation of pyromellitic acid dianhydride.
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  13. Takahashi Hironari (Itami JPX), Semiconductor device manufacturing apparatus and cleaning method for the apparatus.
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  14. Hayashi Kazuichi,JPX ; Fujikawa Yuichiro,JPX, Trap apparatus.
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  15. Ikeda Towl,JPX ; Horiuchi Takashi,JPX, Trap apparatus.
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이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Shibata,Tomohiko; Asai,Keiichiro; Tanaka,Mitsuhiro, Apparatus for fabricating a III-V nitride film and a method for fabricating the same.
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  2. Shibata,Tomohiko; Asai,Keiichiro; Tanaka,Mitsuhiro, Apparatus for fabricating a III-V nitride film and a method for fabricating the same.
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  3. Kasai, Hitoshi; Okahisa, Takuji; Fujita, Shunsuke; Matsumoto, Naoki; Ijiri, Hideyuki; Sato, Fumitaka; Motoki, Kensaku; Nakahata, Seiji; Uematsu, Koji; Hirota, Ryu, Fabrication method and fabrication apparatus of group III nitride crystal substance.
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  4. Hashimoto, Tadao; Letts, Edward, Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride.
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  5. Hashimoto, Tadao; Letts, Edward, Growth reactor for gallium-nitride crystals using ammonia and hydrogen chloride.
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  6. Hashimoto, Tadao; Letts, Edward; Ikari, Masanori, High-pressure vessel for growing group III nitride crystals and method of growing group III nitride crystals using high-pressure vessel and group III nitride crystal.
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  7. Hashimoto, Tadao; Letts, Edward; Ikari, Masanori, Method for producing group III-nitride wafers and group III-nitride wafers.
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  8. Letts, Edward; Hashimoto, Tadao; Ikari, Masanori, Methods for producing GaN nutrient for ammonothermal growth.
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  9. Letts, Edward; Hashimoto, Tadao; Ikari, Masanori, Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth.
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  10. Letts, Edward; Hashimoto, Tadao; Ikari, Masanori, Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth.
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  11. Otsuka,Kenji; Muranaga,Naoki; Takemoto,Kikurou, Production apparatus for producing gallium nitride semiconductor film and cleaning apparatus for exhaust gas.
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  12. Krantz, Jeffrey, System and method for removing pollutants from a roadway.
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