[특허]Pad structure for copper interconnection and its formation

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[미국특허] Pad structure for copper interconnection and its formation 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/44
출원번호	US-0132562 (1998-08-11)
발명자 / 주소	Nogami Takeshi Chen Susan Pramanick Shekhar
출원인 / 주소	Advanced Micro Devices, Inc.
대리인 / 주소	Ishimaru
인용정보	피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 1

초록 ▼

A semiconductor device with high conductivity interconnection lines formed of high conductivity material, such as copper, is manufactured using tantalum nitride material as barrier material between an aluminum layer, such as the wire bonding layer, and the underlying high conductivity interconnectio

대표청구항 ▼

[ The invention claimed is:] [1.] A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:forming a conductive layer on a semiconductor substrate;forming a conductive barrier layer on said conductive layer wherein said conductive barrier layer is a tantalum nitride material selected from the group consisting of TaN.sub.2, TaSiN.sub.2, the combination of TaSiN and TaSiN.sub.2, and the combination of TaN.sub.2, TaSiN and TaSiN.sub.2 ; andforming an aluminum layer on said conductive barrier layer; wherein said conductive barrier layer is substantially impervious to the diffusion of aluminum atoms therethrough into said conductive layer and the diffusion of atoms of said conductive layer therethrough into said aluminum layer.

이 특허에 인용된 특허 (1) 인용/피인용 타임라인 분석

Bai Gang ; Fraser David B., Diffusion barrier for electrical interconnects in an integrated circuit.
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이 특허를 인용한 특허 (14) 인용/피인용 타임라인 분석

Dohle, Rainer; Rudolf, Frank; Wenzel, Christian, Connecting wire and method for manufacturing same.
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Cooney, III, Edward C.; Gambino, Jeffrey P.; He, Zhong-Xiang; Leidy, Robert K., Integrated circuit including wire structure, related method and design structure.
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Cooney, III, Edward C.; Gambino, Jeffrey P.; He, Zhong-Xiang; Leidy, Robert K., Integrated circuit including wire structure, related method and design structure.
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Cabral, Jr.,Cyril; Kaldor,Steffen K.; Kim,Hyungjun; Rossnagel,Stephen M., Interconnect structure diffusion barrier with high nitrogen content.
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Blish, II, Richard C.; Massoodi, Mohammad, Method and system for removing conductive lines during deprocessing.
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Alluri, Prasad; Muralidhar, Ramachandran, Method of forming a semiconductor device having a layer deposited by varying flow of reactants.
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Cabral, Jr.,Cyril; Kaldor,Steffen K.; Kim,Hyungjun; Rossnagel,Stephen M., Method of forming an interconnect structure diffusion barrier with high nitrogen content.
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Anderson, Felix P.; Barkyoumb, Steven P.; Cooney, III, Edward C.; McDevitt, Thomas L.; Murphy, William J.; Strippe, David C., Methods of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor structure.
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Hatano,Keisuke; Abiru,Takahisa, Semiconductor device.
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Usami, Tatsuya, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Usami,Tatsuya, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Stefan Weber DE, Semiconductor structure and method of fabrication.
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Weber, Stefan; Iggulden, Roy C., Semiconductor structure and method of fabrication including forming aluminum columns.
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Sailesh Chittipeddi ; Sailesh Mansinh Merchant, Wire bonding to copper.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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