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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0173152 (1998-10-14) |
우선권정보 | SG-0004127 (1997-11-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 2 |
A pressure sensor fabricated onto a substrate using conventional CMOS fabrication processes. The pressure sensor is built on a substrate having a first conductivity type and has defined in it a well of an opposite conductivity type. This well defines a membrane. Resistors are diffused into the well.
[ We claim:] [1.] A method for fabricating a pressure sensor, comprising the steps of:a. in a substrate having a first conductivity type, forming a well region having a second, opposite conductivity type;b. forming in the well at least one resistor;c. forming source and drain regions in portions of
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