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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0141144 (1998-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 9 |
Methods of forming substantially defect-free silicon structures at the submicron level by enhancing microscopic etchant concentration uniformity and reducing hydrogen bubble adhesion. Etchant mixtures are subjected to the application of ultrasonic waves. The ultrasonic waves promote cavitation that
[ What is claimed as new and desired to be protected by Letters Patent of the United States is:] [1.] A method of etching to form a silicon structure comprising:providing a silicon substrate;etching said substrate in an etchant mixture, wherein said mixture includes an etchant and a wetting agent; a
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