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Methods and apparatus for minimizing white point defects in quartz glass crucibles 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-015/10
출원번호 US-0195886 (1998-11-19)
발명자 / 주소
  • Christman Marc A.
  • Mosier Robert O.
출원인 / 주소
  • Heraeus Shin-Etsu America
대리인 / 주소
    Parsons Behle & LatimerHorton
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 10

초록

Methods and apparatus for manufacturing silica crucibles 9 containing few, if any, white point defects. The white point defects are reduced by decreasing the amount of silica vapor condensing on electrodes 4,5,6 used in the manufacturing process. The silica vapor condensation is decreased by providi

대표청구항

[ We claim:] [1.] A method for making at least one silica crucible, comprising:providing a crucible substrate;providing a plurality of electrodes having an arc or plasma discharge therebetween;melting silica particles by introducing them through the arc or plasma discharge toward the crucible substr

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Manoliu Juliana (Palo Alto CA), CMOS and bipolar fabrication process using selective epitaxial growth scalable to below 0.5 micron.
  2. Zulehner Werner (Emmerting DEX), Device and process for pulling high-purity semiconductor rods from a melt.
  3. Uchikawa Akira (Takefu JPX) Iwasaki Atsushi (Takefu JPX) Fukuoka Toshio (Sabae JPX) Matsumura Mitsuo (Takefu JPX) Matsui Hiroshi (Takefu JPX) Sato Yasuhiko (Annaka JPX) Aoyama Masaaki (Kouriyama JPX), Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor.
  4. Uchikawa Akira (Takefu JPX) Iwasaki Atsushi (Takefu JPX) Fukuoka Toshio (Sabae JPX) Matsumura Mitsuo (Takefu JPX) Matsui Hiroshi (Takefu JPX) Sato Yasuhiko (Annaka JPX) Aoyama Masaaki (Kouriyama JPX), Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor.
  5. Sonokawa Susumu (Takehu JPX) Araki Kenji (Takehu JPX) Iwasaki Atsushi (Takehu JPX) Baba Masahiko (Annaka JPX), Method of adjusting concentration of oxygen in silicon single crystal and apparatus for use in the method.
  6. Ikezawa Kazuhiro (Tokyo JPX) Yasuda Hiroshi (Tokyo JPX) Tanikawa Akira (Tokyo JPX) Kojima Hiroyuki (Tokyo JPX) Hosoda Koji (Tokyo JPX) Kobayashi Yoshifumi (Saitama JPX), Method of exhausting silicon oxide.
  7. Brning Rolf (Bruchkbel DEX) Habegger Friedhelm (Hammersbach DEX), Method of making quartz glass crucibles, and apparatus carrying out the method.
  8. Watanabe Hiroyuki,JPX ; Sato Tatsuhiro,JPX ; Matsui Hiroshi,JPX, Method of manufacturing crucible for double-crucible crystal growing technique.
  9. Dunkelmann Dietger (Bocholt DEX) Jaunich Helmut (Raesfeld DEX) Schiffarth Josef (Bocholt-Barlo DEX), Protection of graphite electrodes.
  10. Ikezawa Kazuhiro (Tokyo JPX) Yasuda Hiroshi (Tokyo JPX) Tanikawa Akira (Tokyo JPX) Kojima Hiroyuki (Tokyo JPX) Hosoda Koji (Tokyo JPX) Kobayashi Yoshifumi (Omiya JPX), System for pulling-up monocrystal and method of exhausting silicon oxide.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Hoshino, Masahiro; Kao, Cheng C., Apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells.
  2. Sato, Masaru, Apparatus for the production of silica crucible.
  3. Pandelisev, Kiril A., Hot substrate deposition of fused silica.
  4. Hoshino, Masahiro; Kao, Cheng C., Method and apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells.
  5. Leist,Johann; G��bel,Rolf; Fritz,Helmut, Method for producing rotationally symmetrical quartz glass crucibles.
  6. Hoshino, Masahiro; Kao, Cheng C., Method for purifying metallurgical silicon for solar cells.
  7. Kemmochi, Katsuhiko; Kayser, Thomas; Coolich, Robert Joseph; Lehmann, Walter, Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere.
  8. Korus, Gabriele; Laudahn, Hilmar; Arndt, Martin; Gertig, Udo, Method of producing a quartz glass crucible.
  9. Hoshino, Masahiro; Kao, Cheng C., Methods for purifying metallurgical silicon.
  10. Kemmochi, Katsuhiko; Coolich, Robert Joseph, Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same.
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