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Deposition of a thin film on a substrate using a multi-beam source 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/00
출원번호 US-0905166 (1997-08-01)
발명자 / 주소
  • Schweitzer Marc O.
  • Chin Barry L.
  • Raaijmakers Ivo J.
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소
    Law Office of Charles Guenzer
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 15

초록 ▼

A multi-beam source for deposition of a material on to a substrate with enhanced deposition rate, uniformity and beam directionality. A plurality of orifices are provided in a head unit having a cavity containing a vapor of the deposition material. The cavity and the vapor contained therein are main

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.] A multi-beam molecular beam source for deposition of a material on to a substrate comprising:a vapor source for supplying a vapor of said deposition material;a head unit having a generally cylindrical wall extending axially along an axis of said cylindrical wall and a cavity within

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Haberland Helmut (Laireweg 17a D-7805 Botzingen DEX), Apparatus and process for producing a thin layer on a substrate.
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  2. Dietrich Anton (Rodenbach DEX) Hartig Klaus (Ronneburg DEX), Apparatus for the application of thin layers to a substrate.
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  3. Knauer Wolfgang (Malibu CA), Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters.
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  4. Knauer Wolfgang (Malibu CA), Cluster beam apparatus utilizing cold cathode cluster ionizer.
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  5. Eisele, Ignaz; Bullemer, Bernhard; Beck, Andreas, Effusion type evaporator cell for vacuum evaporators.
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  6. Knauer Wolfgang (Malibu CA) Bartelt John L. (Camarillo CA), Energy intensive surface reactions using a cluster beam.
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  7. Kadoiwa Kaoru,JPX ; Sonoda Takuji,JPX, Epitaxial crystal growth apparatus.
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  8. Tyson Scott M. (Colorado Springs CO) Kwor Richard Y. (Colorado Springs CO) Levenson Leonard L. (Colorado Springs CO), Ionized cluster beam deposition of sapphire and silicon layers.
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  9. Askary Farid (Santa Clara CA) Farnaam Mohammad R. K. (Santa Clara CA) Balooch Mehdi (Berkeley CA), Large cross-sectional area molecular beam source for semiconductor processing.
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  10. Schmitt Jerome J. (265 College St. (12N) New Haven CT 06510), Method and apparatus for the deposition of solid films of a material from a jet stream entraining the gaseous phase of s.
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  11. Pessa Markus (Tampere FIX) Asonen Harry (Tampere FIX) Varrio Jukka (Tampere FIX) Salokatve Arto (Tampere FIX), Method of growing GaAs films on Si or GaAs substrates using ale.
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  12. Friedman, Lewis; Buehler, Robert J.; Matthew, Michael W.; Ledbetter, Myron, Method of precisely modifying predetermined surface layers of a workpiece by cluster ion impact therewith.
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  13. Schmitt ; III Jerome J. (New Haven CT) Halpern Bret L. (Bethany CT), Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials.
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  14. Streetman Ben G. (Austin TX) Mattord Terry J. (Red Rock TX) Farley Craig W. (Thousand Oaks CA), Sublimating and cracking apparatus.
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  15. Ito Hiroki (Amagasaki JPX) Kajita Naoyuki (Amagasaki JPX), Thin film-forming apparatus.
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