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[미국특허] Single crystal SIC and a method of producing the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-001/04
  • C30B-029/36
출원번호 US-0147621 (1999-02-03)
우선권정보 JP0215414 (1997-07-04)
국제출원번호 PCT/JP98/02798 (1998-06-23)
§371/§102 date 19990203 (19990203)
국제공개번호 WO-9900538 (1999-01-07)
발명자 / 주소
  • Tanino Kichiya,JPX
출원인 / 주소
  • Nippon Pillar Packing Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소
    Jones, Tullar & Cooper, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 17  인용 특허 : 7

초록 ▼

According to the present invention, a complex (M) which is formed by stacking a polycrystalline .beta.-SiC plate 2 on the surface of a single crystal .alpha.-SiC base material 1 in a close contact state via a polished face or grown in a layer-like manner by the thermal CVD method is heat-treated in

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] Single crystal SiC comprising: a single crystal SiC base material; and a complex in which said single crystal SiC base material and a polycrystalline plate consisting of Si and C atoms are stacked together via a smoothed face and subjected to a heat treatment, whereby pol

이 특허에 인용된 특허 (7) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Arai Tetsuji (Kobe JPX), Method for forming a single crystal silicon layer.
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  2. Scholz Christoph (Munich DEX) Koehl Franz (Burghausen DEX) Weber Thomas (Munich DEX), Method for producing a wafer with a monocrystalline silicon carbide layer.
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  3. Shimbo Masaru (Yokohama JPX) Ohashi Hiromichi (Yokohama JPX) Furukawa Kazuyoshi (Kawasaki JPX) Fukuda Kiyoshi (Yokohama JPX), Method of manufacturing compound semiconductor apparatus.
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  4. Terao Noboru (Hyogo JPX), Method of manufacturing wafers used for electronic device.
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  5. Tamura Masao (Tokorozawa JPX) Ohkura Makoto (Hachioji JPX) Miyao Masanobu (Tokorozawa JPX) Natsuaki Nobuyoshi (Kodaira JPX) Yoshihiro Naotsugu (Matsudo JPX) Tokuyama Takashi (Higashikurume JPX) Ishih, Method of producing single crystal film utilizing a two-step heat treatment.
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  6. Tanino Kichiya,JPX ; Hiramoto Masanobu,JPX, Single crystal SiC and a method of producing the same.
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  7. Cline Harvey E. (Schenectady NY), Solid state zone recrystallization of semiconductor material on an insulator.
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이 특허를 인용한 특허 (17) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Naito, Masami; Hara, Kazukuni; Hirose, Fusao; Onda, Shoichi, Manufacturing method of silicon carbide single crystals.
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  2. Naito,Masami; Hara,Kazukuni; Hirose,Fusao; Onda,Shoichi, Manufacturing method of silicon carbide single crystals.
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  3. Kichiya Tanino JP; Masanobu Hiramoto JP, Material for raising single crystal SiC and method of preparing single crystal SiC.
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  4. Sasaki, Makoto; Harada, Shin; Nishiguchi, Taro; Fujiwara, Shinsuke; Namikawa, Yasuo, Method for manufacturing semiconductor substrate.
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  5. Nishiguchi, Taro; Harada, Shin; Sasaki, Makoto, Method for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide substrate.
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  6. Nishiguchi, Taro; Sasaki, Makoto; Harada, Shin; Okita, Kyoko; Inoue, Hiroki; Fujiwara, Shinsuke; Namikawa, Yasuo, Method for manufacturing silicon carbide substrate.
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  7. Kaneko, Tadaaki; Asaoka, Yasushi; Sano, Naokatsu, Method for producing single crystal silicon carbide.
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  8. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  9. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  10. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  11. Otsuki,Hayashi; Nogami,Satoru, SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method.
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  12. Otsuki, Hayashi; Nogami, Satoru, SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor.
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  13. Youichi Kamisuki JP; Naomichi Miyakawa JP; Shinya Kikugawa JP; Katsuyoshi Suzuki JP; Satohiro Enomoto JP, Silicon carbide and process for its production.
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  14. Yoshimitsu Yamada JP; Kichiya Tanino JP; Toshihisa Maeda JP, Single crystal SiC.
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  15. Tanino, Kichiya; Munetomo, Nobuhiro, Single crystal SiC composite material for producing a semiconductor device, and a method of producing the same.
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  16. Kaneko, Tadaaki; Asaoka, Yasushi; Sano, Naokatsu, Single crystal silicon carbide and method for producing the same.
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  17. Satoh, Naoyuki; Nagayama, Nobuyuki; Nagakubo, Keiichi, Surface processing method.
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