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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0025967 (1998-02-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 120 인용 특허 : 100 |
A method for fabricating silicon-on-silicon substrates. A donor wafer (40) is attached to a target wafer (46) using a low-temperature bonding process. The low-temperature bonding process maintains the integrity of a layer of microbubbles (41). Subsequent processing separates a thin film (45) of mate
[ What is claimed is:] [1.] The process for fabricating a silicon-on-silicon wafer, said process comprising steps of:providing one of a {100}, a {110}, or a {111} crystallographic plane single-crystal silicon donor wafer with a first polished surface;implanting hydrogen or helium ions through said f
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