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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0094869 (1998-06-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 119 인용 특허 : 18 |
A method was achieved for making improved self-aligned contacts (SAC) to a patterned polysilicon layer, such as gate electrodes for FETs. Lightly doped source/drain areas are implanted. A second insulating layer is deposited and etched back to form first sidewall spacers. A silicon nitride etch-stop
[ What is claimed is:] [1.] A method for making improved self-aligned contacts (SAC) to a semiconductor substrate comprising the steps of:providing said semiconductor substrate having device areas;forming a gate oxide on said device areas;depositing a first polysilicon layer on said device areas;dep
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