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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0123329 (1998-07-28) |
우선권정보 | JP0208131 (1997-08-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 84 인용 특허 : 7 |
A photovoltaic element of the present invention is a photovoltaic element having a plurality of pin junctions each formed of a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer each comprising a non-single-crystal material comprising a Group IVA element as
[ What is claimed is:] [1.] A photovoltaic element having a plurality of pin junctions each formed of a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer each comprising a non-single-crystal material comprising a Group IVA element as a principal component,
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