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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0028040 (1998-02-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 29 |
A pattern of dielectric structures are formed directly on a substrate in a single step using sol-gel chemistry and molding procedures. The resulting dielectric structures are useful in vacuum applications for electronic devices. Porous, lightweight structures having a high aspect ratio that are suit
[ The invention claimed is:] [1.] A method for making a pattern of dielectric structures on a substrate, comprising:providing a mold having a pattern of cavities formed therein;filling the cavities in the mold with a precursor solution and removing any trapped air in the cavities;covering the filled
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