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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0198483 (1998-11-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 100 인용 특허 : 7 |
An apparatus and method is disclosed; both of which use electrochemistry to selectively grow and remove hard oxide coatings on metals, and capacitive double layers on non-metals and semiconductors in order to predict and control the rate of surface abrasion during planarization of the surface of suc
[ What is claimed is:] [1.] A method of treating a surface of material on a silicon wafer, the method comprising the steps of:placing the silicon wafer in an electrolytic bath;placing reference and counter electrodes in the electrolytic bath;connecting a working electrode to the material on the sili
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