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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0191966 (1998-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 19 |
A method for forming micromachined devices out of a polycrystalline silicon substrate using deep reactive ion etching to form the micromachined device. The method comprises the steps of providing a bulk material substrate of polycrystalline silicon, and etching the bulk material using deep reactive
[ What is claimed is:] [1.] A method for forming a micromachined device comprising the steps of:providing a bulk substrate of polycrystalline silicon; andbulk etching said bulk substrate to form the micromachined device.
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