[특허]Process and plant for the production of a gaseous mixture containing a carrier gas an oxidizing gas and a silane

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Process and plant for the production of a gaseous mixture containing a carrier gas an oxidizing gas and a silane 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00
출원번호	US-0007333 (1998-01-15)
우선권정보	FR0000344 (1997-01-15)
발명자 / 주소	Villermet Alain,FRX Coeuret Fran.cedilla.ois,FRX Cocolios Panayotis,FRX Inizan Michel,FRX
출원인 / 주소	L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Goerges Claude, FRX
대리인 / 주소	Burns, Doane, Swecker & Mathis, L.L.P.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 9

초록

Process for the production of a final gaseous mixture comprising a carrier gas, an oxidizing gas and a silane, with a predetermined content of each of the three gaseous components, comprising the steps of:

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.] Process for the production of a final gaseous mixture comprising a carrier gas, an oxidizing gas and a silane, with a predetermined content of each of the three gaseous components, comprising the steps of:a) preparing a primary gaseous mixture comprising a neutral gas and the silane, wherein the silane is present in the primary gaseous mixture at a content below a self-ignition limit of that particular silane in air;b) providing a first gas stream, comprising the carrier gas and a controlled content of said oxidizing gas; andc) preparing the final mixture according to one of the following two procedures:P1: mixing the first gas stream with a second stream of the primary gaseous mixture and with a third stream of the oxidizing gas in proportions which make it possible to obtain the final mixture, the addition of the oxidizing gas stream being carried out under dynamic conditions;P2: mixing the first gas stream with a second stream of the primary gaseous mixture, in proportions which make it possible to obtain the final mixture, the addition of the primary mixture stream being carried out under dynamic conditions.

이 특허에 인용된 특허 (9)

Laurent Jacques A. ; Decker Wolfgang, Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposi.
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Hochberg Arthur K. (Solana Beach CA) O\Meara David L. (Oceanside CA) Roberts David A. (Carlsbad CA), Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride films using azidosilane sources.
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Kemlage Bernard M. (Kingston NY), Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane-nitrous oxide reac.
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Schmitt Jerome J. (265 College St. (12N) New Haven CT 06510), Method and apparatus for the deposition of solid films of a material from a jet stream entraining the gaseous phase of s.
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Lim Mahn-Jick (Lower Makefield Township ; Bucks County PA), Method of forming silicon dioxide.
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Fujii Atsuhiro (Itami JPX), Method of treating a substrate wherein the flow rates of the treatment gases are equal.
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Maddocks Fred Sterns (Poughkeepsie NY), Planar insulation of conductive patterns by chemical vapor deposition and sputtering.
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Slootman Frank (Saint Cyr L\Ecole FRX) Bouard Pascal (Fontenay Le Fleury FRX) Coeuret Franois (Guyancourt FRX) Jouvaud Dominique (Paris FRX) Prinz Eckhard (Hamfelde DEX), Process for creating a deposit of silicon oxide on a traveling solid substrate.
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Chhabra Navjot (Boise ID) Powell Eric A. (Boise ID) Morgan Rodney D. (Boise ID), Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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