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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0025818 (1998-02-19) |
우선권정보 | JP0195636 (1997-07-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 10 |
In order to correspond to high integration with large capacity of a semiconductor device, provided are a structure of the semiconductor device and a method for manufacturing the same in which a horizontal dimension can be reduced in either a memory cell region or a region where a peripheral circuit
[ I claim:] [1.] A semiconductor device comprising:a trench capacitor provided in a semiconductor substrate for constituting a memory cell, the trench capacitor having a plurality of electrodes, one of the electrodes being a storage node;an insulation film provided on said trench capacitor; anda thi
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