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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0628592 (2000-07-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 9 |
A method of forming tungsten films on oxide layers is disclosed. The tungsten films are formed on the oxide layers by treating the oxide using a silane based gas mixture followed by the thermal decomposition of a W(CO).sub.6 precursor. After the W(CO).sub.6 precursor is thermally decomposed, additio
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of thin film deposition for integrated circuit fabrication, comprising the steps of:(a) treating a substrate with a dielectric material thereon using a gas mixture comprising a silicon compound; and(b) forming one or more tungsten (W) films on the substrate.
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