[특허]Copper adhered to a diffusion barrier surface

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[미국특허] Copper adhered to a diffusion barrier surface 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/48 H01L-023/52 H01L-029/40
출원번호	US-0247650 (1999-02-09)
발명자 / 주소	Charneski Lawrence J. Nguyen Tue
출원인 / 주소	Sharp Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Ripma
인용정보	피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 8

초록 ▼

A method has been provided for improving the adhesion of Cu to a diffusion barrier material, such as TiN, in an integrated circuit substrate. The diffusion barrier material is exposed to either a reactive gas species, or a plasma containing a reactive gas. By removing contaminants on the surface of the diffusion barrier, and forming weak molecular bonds between the diffusion barrier surface and the reactive gas, the diffusion barrier surface is protected and prepared for Cu adhesion. Cu, breaking the bonds between the reactive gas and diffusion barrier surface, readily bonds to the diffusion material for improved adhesion between surfaces. The diffusion barrier surface, prepared with the reactive gas, allows the IC to be stored, delaying the Cu deposition to more convenient times in the IC fabrication process. An Cu conductor interface adhered to the diffusion barrier of an integrated circuit is also provided.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. An adherent Cu conductor interface on an integrated circuit comprising:a semiconductor layer;a diffusion barrier layer on said semiconductor layer, said diffusion barrier layer having a copper receiving surface which, as a result of being exposed to a reactive gas species which interacts with molecules of the diffusion barrier material on said copper receiving surface, has altered surface characteristics wherein relatively stable molecular bonds in the surface of the diffusion barrier material are replaced with unstable bonds between the diffusion barrier material and the reactive gas species, thereby promoting the formation of more stable bonds between said copper receiving surface and a subsequently deposited Cu layer; anda Cu layer overlying said diffusion barrier layer.

이 특허에 인용된 특허 (8) 인용/피인용 타임라인 분석

Fiordalice Robert W. (Austin TX) Olowolafe Johnson O. (Austin TX) Kawasaki Hisao (Austin TX), Method for forming a conductive interconnect in an integrated circuit.
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Kim Do Heyoung,KRX, Method of fabricating metal line structure.
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Nguyen Tue ; Charneski Lawrence J. ; Allen Lynn R., Oxidized diffusion barrier surface for the adherence of copper and method for same.
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Lu Jiong-Ping, Process for fabricating conformal Ti-Si-N and Ti-B-N based barrier films with low defect density.
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Misawa Nobuhiro (Kawasaki JPX), Process for fabricating integrated circuit devices.
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Gelatos Avgerinos V. (Austin TX) Fiordalice Robert W. (Austin TX), Process for forming copper interconnect structure.
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Li Jian (Ithaca NY) Mayer James W. (Phoenix AZ) Colgan Evan G. (Suffern NY) Gambino Jeffrey P. (Gaylordsville CT), Self-aligned process for capping copper lines.
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Lee Sang-in (Kyungki-do KRX), Semiconductor device having a multi-layer metallization structure.
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이 특허를 인용한 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

Lin, Jing-Cheng; Huang, Cheng-Lin; Shue, Winston; Liang, Mong-Song, Barrier free copper interconnect by multi-layer copper seed.
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Lin,Jing Cheng; Huang,Cheng Lin; Hsieh,Ching Hua; Shue,Shau Lin; Liang,Mong Song, Barrier-less integration with copper alloy.
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Shim, Kew Chan, Method for forming metal wiring in a semiconductor device.
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Lin, Jing-Cheng; Huang, Cheng-Lin; Hsieh, Ching-Hua; Shue, Shau-Lin; Liang, Mong-Song, Method of barrier-less integration with copper alloy.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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