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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0105573 (1998-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 3 |
A technique is described for determining the performance of substrate-side emitting VCSELs formed on a wafer. The technique involves forming top-emitting VCSELs on the same wafer as bottom-emitting VCSELs and then testing the top-emitting VCSELs and using the results to determine the performance of
[ We claim:] [1.]1. A vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL) wafer comprisinga plurality of substrate-side emitting VCSELs formed on the wafer, each including a top mirror having a metal reflecting cap formed thereon andat least one VCSEL constructed having a top mirror without metal reflect
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