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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0615141 (2000-07-13) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 1 |
Apparatus for producing a wet oxygen stream for a semiconductor furnace to form oxide layers on silicon wafers. A quartz vessel with quartz chips is heated to 450.degree. C. and a mixture of water and oxygen is introduced at the bottom of the vessel. Vaporization occurs at the input of the water and
[ What is claimed is:] [1.]1. Apparatus for generating a high temperature mixture of gases, the stream being supplied to a furnace for the production of oxide films on semiconductor wafers, said apparatus comprising:a) an open quartz vessel;b) a quartz cover having input and output ports and dimensi
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