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특허 상세정보

Apparatus for generating a wet oxygen stream for a semiconductor processing furnace

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-016/00   
미국특허분류(USC) 118/726 ; 392/400 ; 392/402
출원번호 US-0615141 (2000-07-13)
발명자 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 1
초록

Apparatus for producing a wet oxygen stream for a semiconductor furnace to form oxide layers on silicon wafers. A quartz vessel with quartz chips is heated to 450.degree. C. and a mixture of water and oxygen is introduced at the bottom of the vessel. Vaporization occurs at the input of the water and oxygen into the vessel. The output of wet oxygen as superheated stream passes through the chips and is taken from the top of the vessel to the furnace. The quartz vessel is nested in an aluminum body containing heaters to maintain constant temperature. The ra...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. Apparatus for generating a high temperature mixture of gases, the stream being supplied to a furnace for the production of oxide films on semiconductor wafers, said apparatus comprising:a) an open quartz vessel;b) a quartz cover having input and output ports and dimensioned to close the vessel;c) an input tube extending from the input port to a level proximate to the bottom of the vessel;d) means for delivering a mixture of gas and liquid to the input tube;e) an output tube extending from the output port to a region proximat...