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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0427898 (1999-10-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 15 |
A semiconductor device or other suitable substrate and method with single or multi layers of buried micro pipes are disclosed. This is achieved by controlling the aspect ratio of trenches as well as controlling the deposition characteristics of the material used to fill the trenches. A buried micro
[ Claims Having thus described our invention, what we claim as new, and desire to secure by letters patent is:] [1.]1. A method of forming a micro pipe on a substrate, comprising the steps of:forming a trench in a first layer on a surface of said substrate;forming a second layer over said first laye
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