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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0355777 (1999-08-03) |
우선권정보 | JP0339199 (1997-12-09) |
국제출원번호 | PCT/JP98/05525 (1998-12-04) |
§371/§102 date | 19990803 (19990803) |
국제공개번호 | WO-9930370 (1999-06-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 1 |
In production of a semiconductor device using an SOI technology by an adhesion method, a thin film with high thermal conductivity is formed between an insulating supporting substrate and a single-crystal silicon film formed thereon to enhance uniformity of a thermal distribution. The single-crystal
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for making a semiconductor device comprising:forming a thermally conductive film having a thermal conductivity higher than thermal conductivity of a supporting substrate on one surface of the supporting substrate;forming a first insulating film on the thermally
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