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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0450522 (1999-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 7 |
The specification describes thin film transistor integrated circuits wherein the TFT devices are field effect transistors with inverted structures. The interconnect levels are produced prior to the formation of the transistors. This structure leads to added flexibility in processing. The inverted st
[ We claim:] [1.]1. A method for the manufacture of an integrated circuit comprising the steps of:a. forming an electrically conductive layer on an insulating substrate,b. lithographically patterning said electrically conductive layer to form an interconnect circuit,c. depositing an insulating layer
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