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[미국특허] Wire bonding CU interconnects 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/48
출원번호 US-0295357 (1999-04-21)
발명자 / 주소
  • Besser Paul R.
  • Cheung Robin W.
출원인 / 주소
  • Advanced Micro Devices, Inc.
인용정보 피인용 횟수 : 33  인용 특허 : 4

초록 ▼

Wire bonding to a Cu interconnect via and Al pad with reduced Al and Cu inter-diffusion is achieved by interposing a barrier layer between the Cu interconnect and Al pad. Embodiments include forming a barrier layer of Ti, Ta, W, alloy thereof or nitride thereof, between the Cu interconnect and the A

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A semiconductor device comprising:a copper (Cu) or Cu alloy interconnect formed in an inter-layer dielectric;a diffusion barrier layer on a surface of the Cu or Cu alloy interconnect;and an aluminum (Al) or Al alloy pad on the diffusion barrier layer.

이 특허에 인용된 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Cheung Robin W. ; Lin Ming-Ren, Advanced copper interconnect system that is compatible with existing IC wire bonding technology.
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  2. Teong Su-Ping (Singapore SGX), Etch stop for copper damascene process.
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  3. Neugebauer Constantine A. (Schenectady NY) Glascock ; II Homer H. (Scotia NY) Paik Kyung W. (Clifton Park NY) McMullen James G. (Pattersonville NY), Method for forming semiconductor electrical contacts using metal foil and thermocompression bonding.
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  4. Owyang King (Baldwinsville NY) Stein ; deceased Leonard (late of Dewitt NY by Vera Stein ; executrix), Semiconductor device with built-up low resistance contact.
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이 특허를 인용한 특허 (33) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Chen-Hua Yu TW; Tsu Shih TW, Bond pad having variable density via support and method for fabrication.
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  2. Yu, Chen-Hua; Tseng, Horng-Huei, Bonding structure and fabrication thereof.
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  3. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt first layer advanced metallization for interconnects.
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  4. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt first layer advanced metallization for interconnects.
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  5. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt first layer advanced metallization for interconnects.
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  6. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt first layer advanced metallization for interconnects.
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  7. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt top layer advanced metallization for interconnects.
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  8. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt top layer advanced metallization for interconnects.
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  9. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt top layer advanced metallization for interconnects.
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  10. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Cobalt top layer advanced metallization for interconnects.
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  11. Chittipeddi, Sailesh; Cochran, William Thomas; Smooha, Yehuda, Dual damascene bond pad structure for lowering stress and allowing circuitry under pads.
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  12. Farrar,Paul A., Etch stop in a damascene interconnect structure.
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  13. Farrar, Paul A., Etch stop in damascene interconnect structure and method of making.
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  14. Farrar,Paul A., Etch stop in damascene interconnect structure and method of making.
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  15. Paul A. Farrar, Etch stop in damascene interconnect structure and method of making.
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  16. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Formation of advanced interconnects.
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  17. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Formation of advanced interconnects.
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  18. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Formation of advanced interconnects.
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  19. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Formation of advanced interconnects including a set of metal conductor structures in a patterned dielectric layer.
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  20. Edelstein, Daniel C.; Yang, Chih-Chao, Formation of advanced interconnects including set of metal conductor structures in patterned dielectric layer.
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  21. Yang, Chih-Chao; Horak, David V.; Koburger, III, Charles W.; Ponoth, Shom, Hybrid copper interconnect structure and method of fabricating same.
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  22. Yang, Chih-Chao; Horak, David V.; Koburger, III, Charles W.; Ponoth, Shom, Hybrid copper interconnect structure and method of fabricating same.
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  23. Brigante,Jeffrey Alan; He,Zhong Xiang; Waterhouse,Barbara Ann; White,Eric Jeffrey, Low cost bonding pad and method of fabricating same.
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  24. Burrell,Lloyd G.; Davis,Charles R.; Goldblatt,Ronald D.; Landers,William F.; Mehta,Sanjay C., Method of fabricating a wire bond pad with Ni/Au metallization.
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  25. Jang, Syun-Ming; Liang, Mong-Song; Yu, Chen-Hua; Liu, Chung-Shi; Lai, Jane-Bai, Method of improving the bondability between Au wires and Cu bonding pads.
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  26. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects.
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  27. Edelstein, Daniel C; Yang, Chih-Chao, Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects.
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  28. Cho,Gyung Su, Semiconductor device and fabrication method thereof.
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  29. Burrell, Lloyd G.; Wong, Kwong H.; Kelly, Adreanne A.; McKnight, Samuel R., Semiconductor device having a composite layer in addition to a barrier layer between copper wiring and aluminum bond pad.
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  30. Downey, Susan H.; Miller, James W.; Hall, Geoffrey B., Semiconductor device having a wire bond pad and method therefor.
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  31. Murray, Conal E.; Yang, Chih-Chao, Semiconductor device interconnect structures formed by metal reflow process.
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  32. Murray, Conal E.; Yang, Chih-Chao, Semiconductor device interconnect structures formed by metal reflow process.
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  33. Dodge, Robert; Hillen, Edward Dennis; Blankenship, George Daryl, System and method for facilitating welding system diagnostics.
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