최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0389489 (1999-09-03) |
우선권정보 | JP0250255 (1998-09-04) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1 |
Process for preparing a solid electrolytic Nb capacitor having dielectric loss (tan .delta.) whose abnormal frequency characteristics are restrained. The process comprises forming a laminating film or laminating films on a first laminate comprising Nb anode body, Nb-oxide layer and solid electrolyte
[ What is claimed is:] [1.]1. A solid electrolytic Nb capacitor comprising:a Nb anode body, a Nb-oxide layer and a solid electrolyte layer formed on said Nb-oxide layer;wherein there is no water absorbed on said Nb-oxide layer between said Nb-oxide layer and said solid electrolyte layer.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.