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Gas supplying apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/00
출원번호 US-0378932 (1995-01-26)
우선권정보 JP0036197 (1990-02-19)
발명자 / 주소
  • Matsumoto Shigeyuki,JPX
  • Ikeda Osamu,JPX
출원인 / 주소
  • Canon Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소
    Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 15

초록

A process for forming a metal film comprises the steps of arranging a substrate in a space for formation of the film, introducing an alkylaluminum hydride gas and hydrogen gas into the space and heating directly the substrate to form a metal film comprising aluminum as main component on the surface

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A gas supplying apparatus comprising:a hydrogen purifier connected to a hydrogen gas source,a gas forming means for forming a gas of an organic metal, anda line from the gas forming means to a reaction chamber having a length of 1.5 m or less,wherein hydrogen purified b

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Rose John W. (Scottsdale AZ), Deposition and diffusion source control means and method.
  2. Reif L. Rafael (Newton MA) Fonstad ; Jr. Clifton G. (Arlington MA), Growth of epitaxial films by plasma enchanced chemical vapor deposition (PE-CVD).
  3. Melas Andreas A. (Burlington MA) Hui Benjamin C. (Peabody MA) Lorberth Jorg (Weimar-Niederweimar DEX), Hydrocarbon-substituted analogs of phosphine and arsine, particularly for metal organic chemical vapor deposition.
  4. Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Stern Ronald C. (Cheshunt GB2), Metallizing semiconductor devices.
  5. Sato Kazuo (Tokyo JPX), Method for supplying metal organic gas and an apparatus for realizing same.
  6. Yamazaki Shunpei (21-21 Kitakarasuyama 7-chome Setagaya-ku ; Tokyo JPX), Method of making non-crystalline semiconductor layer.
  7. Matsumoto Shigeyuki (Atsugi JPX) Ikeda Osamu (Yokohama JPX) Ohmi Kazuaki (Hadano JPX), Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device.
  8. Mikoshiba Nobuo (Sendai JPX) Tsubouchi Kazuo (Sendai JPX) Masu Kazuya (Sendai JPX), Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride.
  9. Matsumoto Shigeyuki (Atsugi JPX) Ikeda Osamu (Yokohama JPX), Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl aluminum hydride.
  10. Shindo Hitoshi (Atsugi JPX) Ichikawa Takeshi (Atsugi JPX) Ikeda Osamu (Yokohama JPX) Ohmi Kazuaki (Hadano JPX) Matsumoto Shigeyuki (Atsugi JPX), Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl aluminum hydride.
  11. Mikoshiba Nobuo (Sendai) Tsubouchi Kazuo (Sendai) Masu Kazuya (Sendai JPX), Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl hydride.
  12. Shinzawa Tsutomu (Tokyo JPX), Selective chemical vapor deposition of aluminum, aluminum CVD materials and process for preparing the same.
  13. Takahashi Nobuyuki (Fuchu JPX) Kitahara Hiroaki (Fuchu JPX), Substrate processing apparatus.
  14. Hui Benjamin C. (Peabody MA) Victoriano Luis I. (Danvers MA), Synthesis of high purity dimethylaluminum hydride.
  15. McMenamin Joseph C. (Oceanside CA), Vapor mass flow control system.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Carter, Jeremy; Lohr, Charles B.; Pohl, Brad P.; Kieke, David, Continuously variable transmissions and methods therefor.
  2. Barrera, Martin M.; Kamian, George; McInerney, Edward J.; Stevens, Craig L., Method of semiconductor wafer heating to prevent bowing.
  3. Wang,Shen Ping; Chang,Yuh Hwa; Chen,Fei Yuh; Ho,David; Chen,Chia Chiang, Micromirror for MEMS device.
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